上海贝岭股份有限公司-凯发k8娱乐官网手机端
-
沟槽栅金属氧化物半导体场效应管(trench mosfets)
上海贝岭公司的trench mosfet器件提供低导通、快速、esd保护、rg集成等全系列完整产品线。通过优化的结构设计、先进的制造工艺和可靠的封装,实现了功率密度最大化以及优秀的fom(品质因子(qg*rdson))值,保证了行业内的领先水平。
-
平面栅金属氧化物半导体场效应管(planar mosfets)
上海贝岭公司的高压mosfet产品基于华大自有制造平台积塔(先进),具有强短路、耐冲击的特点,还可以提供低导通ron,集成esd结构防静电等产品,以满足客户的各种需求。
-
超结金属氧化物半导体场效应管(sj mosfets)
上海贝岭公司的sj mosfet器件提供低导通、快速、esd保护、rg集成等全系列完整产品线。通过优化的结构设计、先进的制造工艺和可靠的封装,实现了功率密度最大化以及优秀的fom(品质因子(qg*rdson))值,multi-epi技术赋予器件优良的鲁棒特性,使器件的使用及电路的设计难度大大降低。
-
屏蔽栅金属氧化物半导体场效应管(sgt mosfets)
上海贝岭公司的sgt mosfet器件提供低导通、快速、esd保护、rg集成等全系列完整产品线。通过优化的结构设计、先进的制造工艺和可靠的封装,实现了功率密度最大化以及优秀的fom(品质因子(qg*rdson))值,使应用领域范围大大提高。
-
绝缘栅双极晶体管(igbts)
上海贝岭公司的igbt产品,涵盖了平面高鲁棒特性系列, 基于沟槽场截止型(trench field stop)技术的高效系列,结合了超薄片工艺制程(ultra thin wafer process)以及局部寿命控制等技术,显著改善了动静态性能折中,大幅提高了器件的功率密度,使器件可耐工作温度更高,转换效率更大,使用寿命更长。
-
碳化硅金属氧化物半导体场效应管(sic mosfets)